| 型号： | BSC12DN20NS3 G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| BSC12DN20NS3 G PDF |  |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 125 毫欧 @ 5.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 680pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TDSON-8（5.15x6.15） |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | BSC12DN20NS3GDKR |